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  • 深圳亞泰盈科電子有限公司


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    0755-83759779-80413928452225鐘麗君,蔡丹婷0755-83759885深圳市福田區華強路佳和大廈A座2101室電子元器件配單 IC配單 bom表配單 電子配單 工廠電子料配單 深圳電子配單公司11011658

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  • 深圳誠思涵科技有限公司


    4

    0755-83015506,2394723615820783671朱先生,曾小姐0755-82815131深圳市福田區華強北路上步工業區101棟518室11011880

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  • 深圳市科恒偉業電子有限公司


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    0755-36561078,8320005013424246946,15817287769李小姐0755-82569753深圳市福田區振興路101号華勻大廈2棟5樓531室11011811

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  • 深圳市裕碩科技有限公司


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    0755-23613962,2361530913723786377雷小姐廣東省深圳市福田區紅荔路上步工業區501棟48811011790

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司


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    0755-23941632-8322600513723794312朱先生0755-83249919深圳市福田區上步工業區201棟530室11011873

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  • 深圳市芯澤盛世科技有限公司


    4

    0755-8322569218822854608李先生0755-83249919深圳市福田區上步工業區201棟530室11011794

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司


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    0755-8328588213538293399,exmail:sam@678ic.com陳小姐0755-83867989深圳市福田區華富路1006号航都大廈11FG11010821

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  • 艾潤(香港)電子有限公司


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  • 深圳市行進電子有限公司


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2SD2655WM-TL-E相同型号技術資料
  • 2SD2656
  • 2SD2656FRAT106
  • 制造商:ROHM Semiconductor産品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)RoHS:詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-323-3晶體管極性:NPN配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V集電極—基極電壓 VCBO:30 V發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V集電極—射極飽和電壓:140 mV最大直流電集電極電流:1 A增益帶寬産品fT:400 MHz最大工作溫度:+ 150 C直流電流增益 hFE 最大值:680封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商标:ROHM Semiconductor集電極連續電流:1 A直流集電極/Base Gain hfe Min:270Pd-功率耗散:200 mW産品類型:BJTs - Bipolar Transistors資格:AEC-Q101工廠包裝數量:3000子類别:Transistors零件号别名:2SD2656FRA
  • 2SD2656T106
  • 制造商:ROHM Semiconductor産品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)RoHS:詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-70-3晶體管極性:NPN配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V集電極—基極電壓 VCBO:30 V發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V集電極—射極飽和電壓:140 mV最大直流電集電極電流:1 A增益帶寬産品fT:400 MHz最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:2SD2656直流電流增益 hFE 最大值:680高度:0.8 mm長度:2 mm封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel寬度:1.25 mm商标:ROHM Semiconductor集電極連續電流:1 A直流集電極/Base Gain hfe Min:270Pd-功率耗散:200 mW産品類型:BJTs - Bipolar Transistors工廠包裝數量:3000子類别:Transistors零件号别名:2SD2656單位重量:6.200 mg
  • 2SD2657
  • 2SD2657K
  • 2SD2657KT146
  • 制造商:ROHM Semiconductor産品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)RoHS:詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-59-3晶體管極性:NPN配置:Single集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V集電極—基極電壓 VCBO:30 V發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V集電極—射極飽和電壓:160 mV最大直流電集電極電流:1.5 A增益帶寬産品fT:330 MHz最大工作溫度:+ 150 C系列:2SD2657K直流電流增益 hFE 最大值:680高度:1.1 mm長度:2.9 mm封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel寬度:1.6 mm商标:ROHM Semiconductor集電極連續電流:1.5 A直流集電極/Base Gain hfe Min:270Pd-功率耗散:200 mW産品類型:BJTs - Bipolar Transistors工廠包裝數量:3000子類别:Transistors零件号别名:2SD2657K單位重量:8 mg
2SD2655WM-TL-E PDF文件
  • 描述:Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
  • 生産廠商:RENESAS[Renesas Technology Corp]
  • 廠商logo:
  • 廠商網址:http://www.renesas.com
  • PDF大小:69.4 Kbytes
  • PDF頁數:共6頁
  • 下載地址:2SD2655WM-TL-E的PDF下載地址_天天IC網
2SD2655WM-TL-E技術信息

圖像僅供參考,請參閱規格書

  • 集電極電流(DC ):1 A
  • 集電極 - 基極電壓:60 V
  • 集電極 - 發射極電壓:50 V
  • 發射極 - 基極電壓:6 V
  • 頻率:280 MHz
  • 功率耗散:0.8 W
  • 安裝:Surface Mount
  • 工作溫度範圍:-55C to 150C
  • 包裝類型:MPAK
  • 封裝:Tape and Reel
  • 引腳數:3
  • 元件數:1
  • 工作溫度分類:Military
  • 弧度硬化:No
  • 晶體管極性:NPN
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